IMMPATT二级管Sub_THz发射器
IMPATT Diode（碰撞雪崩渡越时间二极管）是一种高功率亚THz波段THz发射源。IMPATT二极管可以在3-400GHz范围内单频，室温运行，体积小而功率高。
技术参数：
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型 号 |
IMPATT Diode 100GHz |
IMPATT Diode 140GHz |
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出厂优化优化波长 |
100 GHz |
140 GHz |
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功率 |
80 mW |
30 mW |
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线宽 |
1 MHz |
1 MHz |
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TTL调制输出频率 |
1μs 上升/下降时间 |
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特点:
80-110GHz频率范围
输出功率10mW
线宽窄至1MHz
1μs上升和下降时间的TTL调制模式可选
体积紧凑，低成本
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关于美国TeraSense公司
Terasense Group Inc. 是创新便携式太赫兹 (THz) 成像系统、太赫兹成像相机、太赫兹源和太赫兹探测器的领先制造商。我们的产品平衡在科技突破的前沿，并具有多项竞争优势。Terasense 是一家专注于研究的公司，致力于持续改进的理念。我们采用独创的专利保护技术制造用于成像传感器阵列（相机）的新型半导体探测器，有效覆盖亚太赫兹和太赫兹范围的电磁频谱（50 GHz - 700 GHz）。
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