紧凑型极紫外（EUV）计量光源 EUV tube

        德国 Laser nanoFab GmbH 推出的EUV tube，是一款基于先进微聚焦 X 射线管技术开发的紧凑型极紫外（EUV）计量光源，通过电子撞击固态靶材产生 EUV 发射，核心实现了无碎屑运行与优异的长时时空稳定性；其核心性能为源尺寸＜10μm、13.5nm 峰值发射、2% 带宽下 2π 立体角内 EUV 功率最高 20μW、连续 3 天运行波动＜1%，标配 DN 16 CF 标准真空法兰，支持客制化适配，具备操作简便、运行成本低、全电脑控制的特点，可广泛应用于 EUV 光学元件表征、设备离线校准、高分辨率 EUV 成像与显微等计量场景。

一、产品核心概述与工作原理

         这款EUV tube是德国 Laser nanoFab GmbH 研发的紧凑型极紫外（EUV）光源，专为 EUV 计量学场景设计，技术基底为成熟的先进微聚焦 X 射线管技术，并完成了向 EUV 光谱波段的适配拓展。其核心工作原理为：通过电子聚焦撞击固态靶材产生 EUV 发射，该方案不会造成靶材烧蚀，从根源上实现无碎屑运行，同时保障了光源明确的性能表现，以及优异的长时时间与空间稳定性。

二、核心性能参数

三、发射与运行特性

1. 光谱发射特性光源发射光谱峰值位于 13.5nm，覆盖峰值周边约 1nm 的波长范围；可通过两片多层膜（ML）反射镜，将光谱窄化至 13.5nm 下 2% 带宽，获得高纯度的目标 EUV 光谱。

2. 带外发射与屏蔽方案除核心 13.5nm EUV 主发射外，光源的带外发射均可通过简易方案完全屏蔽，具体如下：

1）靶材 L1 线（150eV/8.3nm）、Kα（1.74keV）与 Kβ（1.84keV）特征线：可通过 EUV 多层膜反射镜有效过滤

2）散射电子：可通过静磁场进行偏转屏蔽

3）灯丝产生的可见光：可通过 Zr 滤光片完全阻挡

3. 运行可控性可通过配套的控制软件，对电子束的加速电压、电流、靶材聚焦状态进行精准调控，进而灵活控制 EUV 发射表现。

4. 靶材耐用性设计固态靶材的典型损伤阈值为1-5 kW/mm²，超阈值造成的损伤仅局限于数百微米范围内，可通过小角度旋转靶材，快速切换至全新无损靶点，大幅延长靶材使用寿命。

5. 稳定性表现光源具备工业级 X 射线管级别的稳定可靠性，短时间预热后即可进入稳定运行状态，无等离子体光源常见的随机发射波动问题，实测连续 72 小时（3 天）运行，发射波动＜1%。

四、产品结构与核心优势

1. 结构与安装适配性光源发射锥中心与 DN 16 CF 法兰轴同心，可快速对接各类真空系统；管头支持 4 种不同安装朝向（90° 步进调节）；发射锥最大 30° 全角，起源于 DN 16 CF 法兰前端面后方 15.4mm 处，安装对接精度可控。

2. 核心产品优势

1）无碎屑运行：仅发射电子与光子，无靶材烧蚀产生的粒子碎屑或离子，彻底避免对下游光学元件与真空系统的污染

2）优异的长时时空稳定性，保障计量数据的准确性与一致性

3）结构紧凑，操作直观简便，上手门槛低，无需复杂的配套调试

4）运行成本极低，维护难度与维护成本可控

5）全电脑控制，支持启动、对中、聚焦、全流程运行的自动化控制

6）开放式设计，支持客户定制化适配，可满足个性化场景需求

五、核心应用场景

1. EUV 光学元件的同波长表征：包括多层膜反射镜、掩模、滤光片等核心 EUV 光学器件的性能检测与表征

2. EUV 设备的非同步辐射校准：可脱离同步辐射大科学装置，完成光谱仪、能量监测器等 EUV 设备的离线校准工作

3. 高横向分辨率 EUV 成像与显微技术：依托＜10μm 的极小源尺寸，实现高分辨率的 EUV 成像与显微应用

六、文件下载

EUV tube