CVD系统:ARDIS 300X
用于生长单晶与多晶金刚石的微波等离子体化学气相沉积系统
自2005年以来,致力于化学气相沉积法合成金刚石的系统研发与制造
自首款系统问世以来,我们不断积累并系统化关于CVD合成工艺的独特知识。这不仅使我们能够持续优化技术方案,还能前瞻性地预判客户所面临的各类挑战。
在工业与科研环境中的多年设备运行经验,确保了其技术的成熟性、工艺的稳定性,并符合当前合成功能性碳材料的各项要求。
应用:
专为化学气相沉积制备多晶、单晶及纳米晶金刚石薄膜,以及用于各类应用的碳纳米管而设计
1.宝石
2.电子
3.光学

等离子体化学法金刚石合成:
通过化学气相沉积法培育钻石,可获得以往无法达到的尺寸与极高纯度的钻石样品,其兼具独特的电子、光学、热学与力学性能。
最高10 kW
微波源功率,频率2.45 GHz
金刚石化学气相沉积工艺:
1.气体混合物供应
将甲烷(CH?)与氢气(H?)的混合气体以几百分比的碳氢化合物与氢气的比例通入真空腔
2.微波等离子体产生
强大的微波辐射(最高6千瓦,2.45 GHz)可在腔体内产生并维持高温等离子体
3.分子解离
在等离子体中,气体解离生成活性自由基——原子氢以及含碳粒子(CH?、C?H?)
4.在基底上的沉积
碳自由基沉积在加热的基底上(最高可达1200 °C),形成金刚石晶体结构中的sp³键
5.晶体成长
原子氢可选择性去除石墨(sp²)相,仅留下金刚石。单晶的生长速率可达100 µm/h
实时监测:
通过实时视频控制,实现生长过程的全自动化监测与远程诊断
600–1400 °C
基底温度控制范围为600–1400 °C。高精度温度测量
稳定的等离子体
适用于宽泛的压力、功率及基底托架几何形状
20–300 Torr
宽广的工作压力范围显著提高单晶金刚石的生长速率
技术规格:
ARDIS 300X系统的关键技术参数
1.微波系统
微波源功率:10 kW
磁控管频率:2.45 GHz
2.气体系统
气体通道数量:4个(可选最多6个)
硼掺杂通道:选项
气体流量(典型值):1000 sccm
3.腔体与基片托盘
工作气体压力:20–300 Torr
最大基片直径:100 mm
基片温度控制:600–1400 °C
真空腔:不锈钢
台面:铜/钼
诊断窗:5个
4.真空系统
可达到的前级真空:≤2×10?²托
采用涡轮分子泵时可达到的真空:<10?? 托
反应器腔体漏率:≤2×10?³ 托/小时
5.冷却系统
类型:双回路,水-水(可选水-风冷水机组)
6.控制系统及选件
基底直流偏置电压:300 V(可选)
射频偏置 13.56 MHz:600 W(可选)
控制单元:PLC 或 PAC
7.电源
系统电源:220/380 V,50Hz
功耗(最大):20 kW
ARDIS 300设备安装与运行的机房要求:
1.运行机房要求
最小面积:10平方米
最小高度:3.5米
门洞宽度:至少950毫米
地面:瓷砖/大理石,承重500千克,表面光滑
天花板和墙面:不得释放外来颗粒
2.公共设施
冷却:3–6 atm,≥5 L/min,20–25 °C
压缩空气:4–5 atm,≤1 m³/h
工艺气体:H?、N?、CH?、O?,压力4–5 atm
排水:≥6 L/min(如需)
3.电源
电源:380 V,50 Hz,40 A,三相
接地:外部接地回路
4.气候与安全
散热:最高1千瓦(系统)+9千瓦(制冷)
通风:排风,≥16立方米/小时
灭火:二氧化碳灭火器
环境:最高35℃,湿度最高80%
OptoSystems公司介绍:
OptoSystems公司雇员超过140人。产品有准分子激光器,CO2激光器等。同时OptoSystems公司还开发出准分子激光器视力屈光矫正系统(LASIK),该系统已经获得中国政府颁发的销售许可证,并有数台已经在中国安装。准分子激光器是传统的气体激光器,由于波长短(紫外),短脉冲宽度,高脉冲能量,是激光器家族不可替代的品种!应用上,准分子激光器在脉冲沉积镀膜(PLD),光纤光栅刻写,LASIK,光刻,微纳加工等方面占主导的地位。
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