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IMMPATT二级管Sub_THz发射器

IMMPATT二级管Sub_THz发射器


IMPATT Diode(碰撞雪崩渡越时间二极管)是一种高功率亚THz波段THz发射源。IMPATT二极管可以在3-400GHz范围内单频,室温运行,体积小而功率高。


技术参数:

 号

IMPATT Diode 100GHz

IMPATT Diode 140GHz

出厂优化优化波长

100 GHz

140 GHz

功率

80 mW

30 mW

线宽

1 MHz

1 MHz

TTL调制输出频率

1μs 上升/下降时间


特点:

80-110GHz频率范围

输出功率10mW

线宽窄至1MHz

1μs上升和下降时间的TTL调制模式可选

体积紧凑,低成本


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关于美国TeraSense公司

      Terasense Group Inc. 是创新便携式太赫兹 (THz) 成像系统、太赫兹成像相机、太赫兹源和太赫兹探测器的领先制造商。我们的产品平衡在科技突破的前沿,并具有多项竞争优势。Terasense 是一家专注于研究的公司,致力于持续改进的理念。我们采用独创的专利保护技术制造用于成像传感器阵列(相机)的新型半导体探测器,有效覆盖亚太赫兹和太赫兹范围的电磁频谱(50 GHz - 700 GHz)。


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IMMPATT二级管Sub_THz发射器

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