美国QPC公司创立于2000年,是半导体激光器的领导制造商.QPC公司在美国洛杉矶建有先进的研发和制造基地,具有从激光半导体外延片生长,封装,测试,批量生产等半导体激光器产能. QPC为上市公司,并通过ISO质量认证. QPC的半导体激光器产品已经大量应用于激光工业,国防,医疗和科研.现在美国QPC公司也希望批量进入快速发展的中国市场.

　　美国QPC公司推出和倡导第三代半导体激光技术, QPC的核心技术包括:

１　　BrightLaseTM激光半导体芯片技术．

　　　QPC有包括LD外延片生长,制造,封装的全套半导体激光原创技术,该技术代表了半导体激光新的技术水平,比如: BrightLaseTM半导体激光芯片在50um的单管上产生6.25W的激光功率,平均125mW/um.这一技术进一步提高了半导体激光亮度和功率密度.BrightLaseTM激光半导体芯片有特殊的端面设计,防止损伤,确保长期可靠性.

２　　BrightLockTM内蚀光栅半导体激光技术．

　　　通过同一半导体芯片内蚀光栅技术(Internal Grating),LD的自然光谱带宽从传统的3-5nm消减到1-2nm.更关键的是LD的波长温度系数可以控制在0.07nm/C以内,而传统LD的该系数为0.3nm!高亮度,窄带宽,高波长稳定的新一代LD提高了LD甭浦技术的效率和品质!

３　　HPSELTM半导体激光技术．

　　　QPC开发的二维面发射列阵半导体激光芯片技术,该技术实现了单片列阵功率270W(980nm)．

４　　单模半导体激光技术和人眼安全半导体技术．

　　QPC公司的产品有单管,巴条,列阵,光纤耦合等多种形式.主要产品系列和型号如下:

1       BrightLase™ Ultra-500  高功率光纤半导体激光器系列

功率范围:     35-425W

可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470

光谱带宽:      3-5nm

光纤芯径:      200-800um

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2       BrightLock™ Ultra-500  内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal    Grating)

功率范围:     35-180W

可用波长(nm): 976, 1532

光谱带宽:      1.5nm

光纤芯径:      200um,400um

3       BrightLase™ Ultra-100  光纤半导体激光器

功率范围:      35-110W

可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470

光谱带宽:        3-5nm

光纤芯径:      100-800um

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4      BrightLock™ Ultra-100  内蚀光栅光纤半导体激光器(Internal    Grating)

功率范围:     35-180W

可用波长(nm): 976, 1532

光谱带宽:      1.5nm

光纤芯径:      200um,400um

5      BrightLase™ Ultra-50  光纤半导体激光器

功率范围:     15-35W

可用波长(nm): 792, 808, 976, 1064, 1380,1470,1532

光谱带宽:      3nm

光纤芯径:      100-800um

6      BrightLock™ Ultra-50  内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal    Grating)

功率范围:     12-25W

可用波长(nm): 808, 976, 1532

光谱带宽:      1.5nm

光纤芯径:      200um,400um

7    BrightLock™系列微通道水冷半导体激光叠阵

波长:          1532nm,

带宽:          +/-1nm,

功率:         180W(6    Bar), 300W(10Bar)

8    BrightLase™ 准直半导体模块

波长:          810nm,    1064nm,

功率:          25W,    30W

发散角:        10X6mrad

9   CS-Mount 半导体激光列阵

波长:          795,    808, 940, 1064, 1470,1532

功率:          20W,    25W, 40W, 50W

带宽:          3-5nm

10  BrightLase™ 单管(Single Emitter)

波长:          808,    976, 1050, 1064

功率:          2.5-8W

带宽:          3-5nm

封装形式:     C-Mount

11  BrightLase™ 单模单管(Single    Mode  Single Frequency Single Emitter)

波长:          976,    1040, 1064 ,1550

功率:          1.5W

带宽:          3-5nm

封装形式:      C-Mount

12  BrightLase™  单模单频单管(Single Mode    Single Frequency Single Emitter)

波长:          976,    1040, 1064 ,1550

功率:          1.5W

带宽:          3-5nm

封装形式:      C-Mount

13  BrightLase™ 单模单频单管(Single Mode Single    Frequency Single Emitter)

波长:          1550nm

功率:          400mW,    2W

带宽:          5nm

封装形式: 光纤耦合输出

14  BrightLock™  单管(Single Emitter with    Internal Grating)

波长:          785,808

功率:          750mW,    2.5W

带宽:          1nm

封装形式:     C-Mount

15  BrightLock™  DBF单模单管(DFB Single    Emitter )

波长:          976nm

功率:          150mW

带宽:          1nm

封装形式:      C-Mount