美国QPC公司半导体激光器概览
美国QPC公司创立于2000年,是半导体激光器的领导制造商.QPC公司在美国洛杉矶建有先进的研发和制造基地,具有从激光半导体外延片生长,封装,测试,批量生产等半导体激光器产能. QPC为上市公司,并通过ISO质量认证. QPC的半导体激光器产品已经大量应用于激光工业,国防,医疗和科研.现在美国QPC公司也希望批量进入快速发展的中国市场.
美国QPC公司推出和倡导第三代半导体激光技术, QPC的核心技术包括:
1 BrightLaseTM激光半导体芯片技术.
QPC有包括LD外延片生长,制造,封装的全套半导体激光原创技术,该技术代表了半导体激光新的技术水平,比如: BrightLaseTM半导体激光芯片在50um的单管上产生6.25W的激光功率,平均125mW/um.这一技术进一步提高了半导体激光亮度和功率密度.BrightLaseTM激光半导体芯片有特殊的端面设计,防止损伤,确保长期可靠性.
2 BrightLockTM内蚀光栅半导体激光技术.
通过同一半导体芯片内蚀光栅技术(Internal Grating),LD的自然光谱带宽从传统的3-5nm消减到1-2nm.更关键的是LD的波长温度系数可以控制在0.07nm/C以内,而传统LD的该系数为0.3nm!高亮度,窄带宽,高波长稳定的新一代LD提高了LD甭浦技术的效率和品质!
3 HPSELTM半导体激光技术.
QPC开发的二维面发射列阵半导体激光芯片技术,该技术实现了单片列阵功率270W(980nm).
4 单模半导体激光技术和人眼安全半导体技术.
QPC公司的产品有单管,巴条,列阵,光纤耦合等多种形式.主要产品系列和型号如下:
1 BrightLase™ Ultra-500 高功率光纤半导体激光器系列 功率范围: 35-425W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470 光谱带宽: 3-5nm 光纤芯径: 200-800um 2 BrightLock™ Ultra-500 内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal Grating) 功率范围: 35-180W 可用波长(nm): 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 3 BrightLase™ Ultra-100 光纤半导体激光器 功率范围: 35-110W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1470 光谱带宽: 3-5nm 光纤芯径: 100-800um 4 BrightLock™ Ultra-100 内蚀光栅光纤半导体激光器(Internal Grating) 功率范围: 35-180W 可用波长(nm): 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 5 BrightLase™ Ultra-50 光纤半导体激光器 功率范围: 15-35W 可用波长(nm): 792, 808, 976, 1064, 1380,1470,1532 光谱带宽: 3nm 光纤芯径: 100-800um 6 BrightLock™ Ultra-50 内蚀光栅光纤半导体激光器系列(Internal Grating) 功率范围: 12-25W 可用波长(nm): 808, 976, 1532 光谱带宽: 1.5nm 光纤芯径: 200um,400um 7 BrightLock™系列微通道水冷半导体激光叠阵 波长: 1532nm, 带宽: +/-1nm, 功率: 180W(6 Bar), 300W(10Bar) 8 BrightLase™ 准直半导体模块 波长: 810nm, 1064nm, 功率: 25W, 30W 发散角: 10X6mrad 9 CS-Mount 半导体激光列阵 波长: 795, 808, 940, 1064, 1470,1532 功率: 20W, 25W, 40W, 50W 带宽: 3-5nm 10 BrightLase™ 单管(Single Emitter) 波长: 808, 976, 1050, 1064 功率: 2.5-8W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 11 BrightLase™ 单模单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 976, 1040, 1064 ,1550 功率: 1.5W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 12 BrightLase™ 单模单频单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 976, 1040, 1064 ,1550 功率: 1.5W 带宽: 3-5nm 封装形式: C-Mount 13 BrightLase™ 单模单频单管(Single Mode Single Frequency Single Emitter) 波长: 1550nm 功率: 400mW, 2W 带宽: 5nm 封装形式: 光纤耦合输出 14 BrightLock™ 单管(Single Emitter with Internal Grating) 波长: 785,808 功率: 750mW, 2.5W 带宽: 1nm 封装形式: C-Mount 15 BrightLock™ DBF单模单管(DFB Single Emitter ) 波长: 976nm 功率: 150mW 带宽: 1nm 封装形式: C-Mount
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