热线电话:
400 888 1064
 
固态探测器



固态探测器


概要

固态探测器是把入射光转化为电信号的光电器件。在略低于200nm到20um以上的工作波长范围内,固态探测器具有高灵敏度、高可靠性、经济实用以及高效率的优点。HORIBA Jobin Yvon 提供大量种类齐全的固态探测器以满足任何应用需求。根据您的灵敏度要求有空冷、半导体制冷以及液氮制冷几种不同的制冷方式。固态探测器可以分为三个不同类别:光电发射式、光电导式和双色固态探测器。光电发射式探测器是快速、高灵敏度的探测器,一般它不需要锁相放大器和斩波器,除非是微弱光信号应用的情况推荐使用斩波器和锁相。它的光谱范围上限约为5μm.光电导式探测器工作速度相对较慢、灵敏度也相对较低,但是光谱范围可达12μm甚至以上。光电导式固态探测器必须使用锁相放大器和斩波器。双色固态探测器是结构上类似三明治的探测器,通常一个硅探测器在前,第二个探测器在后。硅探测器工作范围达1.1μm,波长更长的范围内硅探测器变得透明,第二个探测器则开始工作。在这个波长范围内,硅探测器效率下降约40%,第二个探测器效率保持不变。包含PbS 或PbSe的双色探测器必须使用锁相放大器和斩波器,对于其他固态探测器则推荐使用。为得到固态探测器最大的灵敏度,我们提供适用于所有固态探测器的红外特殊封装。该封装包括一面6:1压缩光斑大小、光路90度垂直的椭圆反射镜。该反射镜可使得各个波长的能量均会聚于探测器上。


规格参数

Ⅰ、光电发射式探测器


型号冷却方式光谱范围NEP备注
硅(Si)无冷却0.2 - 1.1 微米-无放大,大感光面积10x10mm。NEP由模拟输入决定
硅(Si)无冷却0.3 - 1.1 微米2 x 10-14前置放大,要求±15V 供电
锗(Ge)无冷却0.8 - 1.8 微米7 x 10-13前置放大,要求±15V 供电
锗(Ge)TE制冷0.8 - 1.75 微米5 x 10-14前置放大,要求±15V 供电
铟镓砷无冷却0.8 - 1.7 微米6 x 10-14前置放大,要求±15V 供电
铟镓砷TE制冷0.8 - 1.65 微米1 x 10-14前置放大,要求±15V 供电
铟镓砷液氮冷却0.8 - 1.6 微米1 x 10-15前置放大,要求±15V 供电
砷化铟无冷却1 - 3.6 微米2 x 10-10前置放大,要求±15V 供电
砷化铟TE制冷1 - 3.55 微米1 x 10-11前置放大,要求 +/-15V 供电
锑化铟液氮冷却2 - 5.5 微米1 x 10-12前置放大,要求±15V 供电



Ⅱ、光电导式探测器


型号冷却方式光谱范围NEP备注
硫化铅(PbS)无冷却1 - 3 微米2 x 10-12前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度在 100-500Hz
硫化铅(PbS)TE制冷1 - 3 微米1 x 10-12前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度在 100-500Hz
硒化铅(PbSe)无冷却1 - 5 微米5 x 10-11前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度1KHz
硒化铅(PbSe)TE制冷1 - 5 微米2 x 10-11前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 1KHz
碲镉汞 (HgCdTe)TE制冷1 - 5 微米*1 x 10-11前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 1KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.
碲镉汞(HgCdTe)TE制冷1 - 10 微米*1 x 10-8前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 10KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.
碲镉汞(HgCdTe)液氮冷却1 - 14 微米*6 x 10-12前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 14KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.
碲镉汞(HgCdTe)液氮冷却1 - 20 微米*2 x 10-11前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 20KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.





Ⅲ、双色探测器


型号冷却方式光谱范围备注
硅/铟镓砷无冷却0.3 - 1.7 μm前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/铟镓砷TE制冷0.3 - 1.65 μm前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/锗TE制冷0.3 - 1.75 μm前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/硫化铅TE制冷0.3 - 3 μm前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/硒化铅TE制冷0.3 - 5 μm前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/砷化铟无冷却0.3 - 3.6 μm前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/砷化铟TE制冷0.3 - 3.55 μm前置放大. 需要+/-15V 供电











我要留言

姓名:    电话:    邮箱:   
地址:   
内容:   
   
相关推荐
脉动科技有限公司
地址:北京市海淀区中关村333号楼;上海市茅台路868号光华大厦南楼1009室;西安市南二环西段太白立交西北未来城3号楼2404单元;深圳市南山区前海湾龙海家园15栋101室;成都市锦江区锦东路555号尖东旺座1314,
电话:010-62565117  传真:010-62565117-811
邮箱:info@pulsepower.cn