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IMMPATT二级管Sub_THz发射器

IMMPATT二级管Sub_THz发射器


IMPATT Diode(碰撞雪崩渡越时间二极管)是一种高功率亚THz波段THz发射源。IMPATT二极管可以在3-400GHz范围内单频,室温运行,体积小而功率高。


参数

型 号

IMPATT Diode 100GHz

IMPATT Diode 140GHz

出厂优化优化波长

100 GHz

140 GHz

功率

80 mW

30 mW

线宽

1 MHz

1 MHz

TTL调制输出频率

1μs 上升/下降时间


特点

     80-110GHz频率范围

     输出功率10mW

     线宽窄至1MHz

     1μs上升和下降时间的TTL调制模式可选

     体积紧凑,低成本






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